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霍尔传感器详细解说
更新时间:2014-07-16   点击次数:2674次


摘要:我们常常听说霍尔传感器,那么究竟哪些是霍尔传感器捏?霍尔电流传感器,霍尔电压传感器等等。今天小编就来为大家稍稍的介绍下。
先我们来讲解下霍尔传感器的定义:
    霍尔传感器是根据霍尔效应制作的种磁场传感器。
霍尔效应是什么?
    霍尔效应是磁电效应的种,这现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔效应是磁电效应的种,通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子溶度及载流子迁移率等重要参数。广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。对于图所示的半导体试样,若在X方向通以电流Is,在Z方向加磁场B,则在Y方向即试样A,A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决定于试样的电类型。显然,该电场是阻止载流子继续向侧面偏移。

    当载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有

⑴ 其中EH为霍尔电场,V是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽为b,厚度为d,载流子浓度为n,则

⑵ 由⑴、⑵两式可得
  ⑶ 即霍尔电压VH(A、A′电极之间的电压)与ISB乘积正比与试样厚度d成反比。比例系数  称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数,只要测出 VH(伏)以及知道IIs(安)、B(高斯)和d(厘 米)可按下式计算RH(厘米3/库仑)

霍尔传感器应用:
    霍尔传感器技术应用于汽车工业;霍尔传感器应用于出租车计价器
霍尔电压传感器和霍尔电流传感器主要适用于工业控制领域的电压和电流测量。由于传感器般不提供角差指标,对于需要准确测量交流电功率的场合,应对其角差指标进行验证,这点需特别注意。工频电量测量可用互感器替代,变频电量测量可用电压、电流组合式的变频功率传感器替代。
(1)电流传感器必须根据被测电流的额定有效值适当选用不同的规格的产品。被测电流长时间超额,会损坏末极功放管(指磁补偿式),般情况下,2倍的过载电流持续时间不得超过1分钟。

(2)电压传感器必须按产品说明在原边串入个限流电阻R1,以使原边得到额定电流,在般情况下,2倍的过压持续时间不得超过1分钟。

(3)电流电压传感器的*精度是在原边额定值条件下得到的,所以当被测电流高于电流传感器的额定值时,应选用相应大的传感器;当被测电压高于电压传感器的额定值时,应重新调整限流电阻。当被测电流低于额定值1/2以下时,为了得到*精度,可以使用多绕圈数的办法。

(4)绝缘耐压为3KV的传感器可以长期正常工作在1KV及以下交流系统和1.5KV及以下直流系统中,6KV的传感器可以长期正常工作在2KV及以下交流系统和2.5KV及以下直流系统中,注意不要超压使用。

(5)在要求得到良好的动态特性中装置上使用时,用单根铜铝母排并与孔径吻合,以大代小或多绕圈数,均会影响动态特性。

(6)在大电流直流系统中使用时,因某种原因造成工作电源开路或故障,则铁心产生较大剩磁,是值得注意的。剩磁影响精度。退磁的方法是不加工作电源,在原边通交流并逐渐减小其值。

(7)传感器抗外磁场能力为:距离传感器5~10cm个超过传感器原边电流值2倍的电流,所产生的磁场干扰可以抵抗。三相大电流布线时,相间距离应大于5~10cm。

(8)为了使传感器工作在*测量状态,应使用图1-10介绍的简易典型稳压电源。

(9)传感器的磁饱和点和电路饱和点,使其有很强的过载能力,但过载能力是有时间限制的,试验过载能力时,2倍以上的过载电流不得超过1分钟。

(10)原边电流母线温度不得超过85℃,这是ABS工程塑料的特性决定的,用户有特殊要求,可选高温塑料做外壳。

1、为了得到较好的动态特性和灵敏度,必须注意原边线圈和副边线圈的耦合,要耦合得好,用单根导线且导线*填满霍尔传感器模块孔径。

2、使用中当大的电流电流流过传感器原边线圈,且次电流没有接通电源|稳压器或副边开路,则其磁路被磁化,而产生剩磁,影响测量精度(故使用时要先接通电源和测量端M),发生这种情况时,要先进行退磁处理。其方法是次边电路不加电源,而在原边线圈中通同样等级大小的交流电流并逐渐减小其值。

3、霍尔传感器都具有较强的抗外磁场干扰能力,但是,为了获得较高的测量准确度,当有较强的磁场干扰时,要采取适当的措施来解决。 

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